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    多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐


    • 產(chǎn)品描述
      • 商品名稱: 多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐

      應(yīng)用領(lǐng)域:

      多孔碳材料CVD沉積   甲烷、乙炔CVD碳包覆

      工藝特點:

      本設(shè)備采用粉體霧化轉(zhuǎn)流化先進工藝使CVD沉積更充分;

      特殊的多弧形坩堝避免藏料,全范圍無死角;

      高速的霧化及一體爐雙重的工藝,使硅碳包覆更均勻就把硅烷利用率提高90%以上;

      5層真空室使用硅烷氣體安全得到保證上。 

      型 號

      外型尺寸

      裝載量

      工作溫度

      極限溫度

      真空度

      總功率

      氣氛類別

      設(shè)備重量

      MGB140-120-200HL2

      6000*5000*5000

      200KG

      400℃~800℃

      1000℃

      1-2.5Pa

      230KW

      SiH4/CH4

      10T

    關(guān)鍵詞:

    產(chǎn)品咨詢

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